FQNL2N50BTA

Pilt on viitamiseks, tegeliku pildi saamiseks võtke meiega ühendust

Tootja osa	FQNL2N50BTA
Tootja	Rochester Electronics
Kirjeldus	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0
Kategooria	diskreetsed pooljuhttooted
Perekond	transistorid - fetid, mosfetid - üksikud
Eluring:	New from this manufacturer.
Kohaletoimetamine:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Makse	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Andmeleht	FQNL2N50BTA PDF

Kättesaadavus

Laos	20 000
Ühikuhind	$ 0.21000

FQNL2N50BTA Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FQNL2N50BTA Tehnilised andmed

Tüüp	Kirjeldus
seeria:	QFET®
pakett:	Bulk
osa staatus:	Active
feti tüüp:	N-Channel
tehnoloogia:	MOSFET (Metal Oxide)
äravoolu allika pinge (vdss):	500 V
vool - pidev äravool (id) @ 25°c:	350mA (Tc)
ajami pinge (max rds sees, min rds sees):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	5.3Ohm @ 175mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 250µA
väravalaeng (qg) (max) @ vgs:	8 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
sisendmahtuvus (ciss) (max) @ vds:	230 pF @ 25 V
fet funktsioon:	-
võimsuse hajumine (max):	1.5W (Tc)
Töötemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
paigaldustüüp:	Through Hole
tarnija seadmepakett:	TO-92-3
pakend / ümbris:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.