SI4477DY-T1-GE3

Pilt on viitamiseks, tegeliku pildi saamiseks võtke meiega ühendust

Tootja osa	SI4477DY-T1-GE3
Tootja	Vishay / Siliconix
Kirjeldus	MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Kategooria	diskreetsed pooljuhttooted
Perekond	transistorid - fetid, mosfetid - üksikud
Eluring:	New from this manufacturer.
Kohaletoimetamine:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Makse	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Andmeleht	SI4477DY-T1-GE3 PDF

Kättesaadavus

Laos	932 540
Ühikuhind	$ 1.52000

SI4477DY-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SI4477DY-T1-GE3 Tehnilised andmed

Tüüp	Kirjeldus
seeria:	TrenchFET®
pakett:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osa staatus:	Active
feti tüüp:	P-Channel
tehnoloogia:	MOSFET (Metal Oxide)
äravoolu allika pinge (vdss):	20 V
vool - pidev äravool (id) @ 25°c:	26.6A (Tc)
ajami pinge (max rds sees, min rds sees):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	6.2mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
väravalaeng (qg) (max) @ vgs:	190 nC @ 10 V
vgs (max):	±12V
sisendmahtuvus (ciss) (max) @ vds:	4600 pF @ 10 V
fet funktsioon:	-
võimsuse hajumine (max):	3W (Ta), 6.6W (Tc)
Töötemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
paigaldustüüp:	Surface Mount
tarnija seadmepakett:	8-SO
pakend / ümbris:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.